檢索結果：共16筆資料 檢索策略： "Graphene".ekeyword (精準) and cdept.raw="光電工程研究所"
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石墨烯為原子級二維薄膜，擁有高比表面積及高載子遷移率等特性，可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜，因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
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本論文是利用反應式射頻磁控濺鍍系統 (Reactive radio-frequency magnetron sputtering : RFMS) 沉積氧化釕於石墨烯上，並使用場發射電子顯微鏡 (Fi…
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本論文分為三部分，第一部分探討氧化鋅奈米柱及奈米管之紫外光感測器，及複合石墨烯之氧化鋅奈米柱及奈米管之紫外光感測器，並進行物性及電性分析；第二部分探討在不同成長時間之超奈米結晶鑽石上成長氧化鋅奈米柱…
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本論文主要分為兩部份，第一部份先探討不同時間成長石墨烯薄膜對場發射的影響，接著轉移不同層數石墨烯於不同結構上做分析，第二部份先探討不同氣體比例成長鑽石薄膜對場發射的影響，接著選取前一節最佳成長鑽石的…
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現今，二維原子級薄膜奈米材料的結合是相當重要的發展趨勢，特別是二維材料的異質接面更是目前新興發展重點。本計畫致力於將同為二維材料的石墨烯與過渡金屬硫化物做異質接面的結合並深入探討其接面特性，應用於二…
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石墨烯為一新興二維碳材料，擁有較矽良好之導電性質，而室溫下具備高電子遷移率，使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳，因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
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過渡金屬三硫屬化物由於其結構的異向性在電性與光電應用中有很好的表現，這些表現使過渡金屬三硫化物 (TMTCs) 在該領域的其他二維材料中脫穎而出。TiS3是過渡金屬三硫屬化物的其中一員，是n型半導體…
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石墨烯具有高電子遷移率, 高導電性及高穿透性等優越的特性. 石墨烯會吸附大氣中的氧原子與水氣表現出 p-type 的特性. 透過氮電漿摻雜以及電化學摻雜可以對石墨烯進行 n-type 的摻雜. 藉由…
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二維材料如石墨烯和過渡金屬硫化物等近幾年已成為近年來大家所研究的重點。石墨烯由一層的碳原子組成，擁有極佳的電學、化學、機械、熱學及光學性質。本質石墨烯在大氣中會吸附氧氣和水氣並呈現p型半導體的特性。…
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摘要 本論文分為兩個部分，第一部分為主要探討以微波電漿化學氣相沉積法 (MPCVD)成長不同時間成長超奈米結晶鑽石的品質以及不同時間成長之還原氧 化石墨烯，並以泡沫鎳來當作工作電極，分別在泡沫鎳基板…